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JGDN108B
JGDN108B
单晶异质结双面双玻组件
415W~445W

  • 采用182mm，N型HJT半片电池

  • 组件功率高达445W，组件转换效率达到22.70%

  • 采用优异的MBB半片电池技术减少隐裂及切面损伤

  • 正面输出功率比TOPCon组件高4.1%，背面输出功率比TOPCon组件高14.76%

  • 无BO-LID,优异的抗LeTID和抗PID性能
    低功率衰减，更高的功率输出

  • 温度系数为-0.243%/℃

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